企业简介
乐山凯亚达光电科技有限公司,成立于2003年9月,是专业生产、研发、加工和销售化合物半导体材料,光电材料的民营企业，座落于乐山高新区。2006年被认定为四川省高新技术企业，同年锑化铟单晶的研制获得乐山市科学技术进步一等奖。 企业近年来共研制开发出30余项化合物半导体材料：锑化铟（ISb）、锑化镓（GaSb）、、锑化锗（GSb）、碲化镉（CT）、碲锌镉CZT、碲化铅（PbT）、碲化锌（ZT）、碲化铜CuT、碲化铝lT、碲化铟（I2T3）、碲化锗GT、碲化镓（GaT）、碲化铋Bi2T3、硒化铅（PbS）、硒化铟（I2S3）、硒化铋Bi2S3、硒化锌（ZS）、硫化铝（l2S3）、硫化铅（PbS）、硫化镉CS、硫化锗（GS2）、硫化铋（Bi2S3）、硫化锑（Sb2S3）、硒化锡（SS）硒化锗（GS）等。 公司是目前国内专业从事化合物半导体材料研究开发和生产销售的高科技民营企业。近年来承担多项省市重点科研项目，晶体靶材类有：碲化镉（CT）、碲化铅（PbT）、锑化铟（ISb）、硒化铅（PbS）、碲化铋Bi2T3 、锑化锗（GSb）、硫化铅（PbS）等。 公司坚持务实、诚信、创新的宗旨，愿与客户共同发展。
乐山凯亚达光电科技有限公司的工商信息
- 511100000005772
- 91511126754711749U
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(自然人投资或控股)
- 2003年09月27日
- 郭春雨
- 1000.000000
- 2003年09月27日 至 永久
- 夹江县工商行政管理和质量技术监督局
- 2016年01月20日
- 夹江县新场镇红旗村5社
- 制造、加工、销售半导体材料、光电材料。※（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
乐山凯亚达光电科技有限公司的域名
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 乐山凯亚达光电科技有限公司 | http://www.kydmaterials.com/ |
| 网站 | 乐山凯亚达光电科技有限公司 | http://www.kydmaterials.com |
乐山凯亚达光电科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN205665183U | 一种痕量杂质测量装置 | 2016.10.26 | 本实用新型公开了一种痕量杂质测量装置，包括检测室、设置在检测室内的粉末吸收器；所述检测室侧边设置有收 |
| 2 | CN205667826U | 一种高压合成设备 | 2016.11.02 | 本实用新型公开了一种高压合成设备,涉及合成釜技术领域，包括釜体、冷却装置和安装在釜体内的搅拌装置；所 |
| 3 | CN205660162U | 一种粉末喷射成型沉积器 | 2016.10.26 | 本实用新型公开了一种粉末喷射成型沉积器，涉及喷射成型技术领域，包括空心轴、沉积辊、压辊，所述沉积辊为 |
| 4 | CN106548994A | 一种半导体用热沉材料 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种半导体用热沉材料，所述热沉材料主要成份按照重量百分比分别为：石墨30‑50份、氧化铝 |
| 5 | CN106542825A | 一种半导体陶瓷材料 | 2017.03.29 | 本发明公开了一种半导体陶瓷材料，由以下重量分数的原料组成：石墨10‑16份、碳酸钠2‑3份、蒙脱石2 |
| 6 | CN106517106A | 一种高纯碲的高效提纯方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种高纯碲的高效提纯方法，其特征在于，该方法的步骤如下：a)将工业碲粉加入到质量分数为4 |
| 7 | CN106517324A | 一种锑硫矿制备三氧化二锑的方法 | 2017.03.22 | 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种方采用锑硫矿直接制备三氧化二锑的方法，包括锑硫分离、溶液 |
| 8 | CN106517302A | 一种纳米级氧化锌晶体的制备方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种纳米级氧化锌晶体的制备方法，化工技术领域，包括下列步骤：1）将锌盐溶液浓度调整为0. |
| 9 | CN106497124A | 一种三氧化二锑阻燃母料及其制备方法 | 2017.03.15 | 本发明涉及阻燃技术领域，尤其是一种三氧化二锑阻燃母料及其制备方法。其原料按重量份计为：三氧化二锑45 |
| 10 | CN106495107A | 一种碲化镉的制备方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种碲化镉的制备方法，其特征在于顺次包括以下步骤：1）首先碲粉和镉粉按1:1.2~1.2 |
| 11 | CN106495238A | 一种高纯度二硫化镍的制备方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种高纯度二硫化镍的制备方法，属于化工技术领域，包括以下步骤：将可溶性的镍盐溶于去离子水 |
| 12 | CN106495106A | 一种高纯度碲化镉的制备方法 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种高纯度碲化镉的制备方法，其特征在于，顺次包括以下步骤：1）首先碲粉和镉粉按1:1.5 |
| 13 | CN106348259A | 一种高纯度二氧化碲粉体的制备方法 | 2017.01.25 | 本发明公开了一种高纯度二氧化碲粉体的制备方法，具体包括如下步骤：将原料碲粉细磨至粒径≤150μm；硝 |
| 14 | CN205667837U | 一种高纯度有色金属材料的精炼提纯反应釜 | 2016.11.02 | 本实用新型公开了一种高纯度有色金属材料的精炼提纯反应釜，属于提纯设备技术领域，包括釜体和转动设置在釜 |
| 15 | CN205664685U | 用于高纯金属熔炼炉的冷却装置 | 2016.10.26 | 本实用新型涉及金属熔炼技术领域，公开了一种用于高纯金属熔炼炉的冷却装置，包括主进水管、熔炼炉冷却组件 |
| 16 | CN205635733U | 一种有色金属真空精炼提纯炉 | 2016.10.12 | 本实用新型公开了一种有色金属真空精炼提纯炉，包括电机和炉体；所述炉体上端设有进料口和抽真空管；所述炉 |
| 17 | CN205635731U | 一种高纯金属精炼提纯装置 | 2016.10.12 | 本实用新型涉及金属提纯设备技术领域，公开了一种高纯金属精炼提纯装置，包括保护筒、结晶筒、冷却盘，结晶 |
| 18 | CN205641951U | 一种硬质合金烧结炉 | 2016.10.12 | 本实用新型公开了一种硬质合金烧结炉，涉及烧结炉技术领域，包括炉体，所述炉体内置隔热层和感应层，所述炉 |
| 19 | CN201952523U | 单晶炉用石墨坩埚 | 2011.08.31 | 本实用新型公开了一种单晶炉用石墨坩埚，由圆筒状的坩埚本体构成，其特征是：坩埚本体外表面形成有凹槽。所 |
| 20 | CN201933196U | 单晶炉用石墨坩埚 | 2011.08.17 | 本实用新型公开了一种单晶炉用石墨坩埚，由圆筒状的坩埚本体构成，其特征是：坩埚本体外表面形成有凸起和凹 |
| 21 | CN201933193U | 一种可自由调节角度区域熔炼车 | 2011.08.17 | 本实用新型公开了一种可自由调节角度区域熔炼车，包括下部起支撑作用的区域熔炼车支架，其特征在于：还包括 |
| 22 | CN201933204U | 单晶炉 | 2011.08.17 | 一种单晶炉，包括炉体、坩埚、上旋转电机、下旋转电机、上升降电机、固定板和下升降电机，所述炉体固定在固 |
| 23 | CN201933199U | 石墨加热器 | 2011.08.17 | 本实用新型公开了一种石墨加热器，由筒状加热器本体构成，所述加热器本体中下部收窄，底部设有与电极相连的 |
| 24 | CN201933198U | 化合物半导体加热装置 | 2011.08.17 | 本实用新型公开了一种化合物半导体加热装置，包括有保温壁，保温壁上设置有保温盖，其特征在于：保温壁内设 |
| 25 | CN201932515U | 高纯金属收集装置 | 2011.08.17 | 本实用新型公开了一种高纯金属收集装置，包括容器、炉体、顶盖和收集罩，其特征在于：所述容器设在炉体内， |
| 26 | CN201922043U | 高纯金属制粒炉 | 2011.08.10 | 本实用新型公开了一种高纯金属制粒炉，包括装料漏斗、加热器、储粒釜，储粒釜上端口处设有装料漏斗，装料漏 |
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